专利
专利名称：半导体器件及其形成方法
专利号：201611177978.0
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-12-19
专利名称：鳍式场效应晶体管及其形成方法
专利号：201611176617.4
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-12-19
专利名称：半导体结构及其形成方法
专利号：201611176599.X
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-12-19
专利名称：半导体器件及其形成方法
专利号：201611200251.X
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-12-22
专利名称：一种晶圆清洗方法
专利号：201610927729.9
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-10-31
专利名称：半导体结构及其形成方法
专利号：201611168702.6
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-12-16
专利名称：半导体结构及其形成方法
专利号：201611066007.9
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-11-28
专利名称：互联结构及其形成方法
专利号：201611076275.9
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-11-29
专利名称：互连结构及其形成方法
专利号：201610981568.5
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-11-08
专利名称：鳍式场效应晶体管及其形成方法
专利号：201610980463.8
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-11-08
专利名称：半导体器件及其形成方法
专利号：201611125155.3
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-12-08
专利名称：半导体结构及其形成方法
专利号：201611248888.6
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-12-29
专利名称：半导体结构及其形成方法
专利号：201610991455.3
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-11-10
专利名称：半导体结构及其形成方法
专利号：201610993663.7
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-11-10
专利名称：半导体结构及其形成方法
专利号：201710011800.7
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2017-01-06