专利
专利名称：鳍式场效应管及其形成方法
专利号：201610884463.8
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-10-10
专利名称：半导体结构及其形成方法
专利号：201710033040.X
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2017-01-16
专利名称：晶体管及其制造方法
专利号：201610944423.8
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-11-02
专利名称：晶体管及其形成方法
专利号：201610919492.3
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-10-21
专利名称：鳍式场效应管的形成方法
专利号：201610884455.3
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-10-10
专利名称：鳍式场效应管的形成方法以及半导体结构
专利号：201611112145.6
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-12-02
专利名称：晶体管及其形成方法
专利号：201611001446.1
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-11-10
专利名称：鳍式场效应晶体管及其形成方法
专利号：201610989745.4
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-11-10
专利名称：半导体器件及其形成方法
专利号：201611199569.0
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-12-22
专利名称：鳍式场效应管及其形成方法
专利号：201610911374.8
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-10-19
专利名称：半导体结构及其形成方法
专利号：201611067425.X
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-11-28
专利名称：半导体结构及其形成方法、以及SRAM
专利号：201611065220.8
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-11-28
专利名称：自热效应检测结构
专利号：201720174214.X
专利权人：SMIC(TJ)-SMIC(SH)
时间：2017-02-24
专利名称：半导体结构及其形成方法
专利号：201710020799.4
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2017-01-11
专利名称：半导体结构及其形成方法
专利号：201611264859.9
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-12-30