专利
专利名称：一种反熔丝结构、半导体器件及电子装置
专利号：201610716528.8
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-08-24
专利名称：SRAM器件及其制造方法
专利号：201611082508.6
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-11-30
专利名称：一种半导体器件及其制备方法和电子装置
专利号：201610939043.5
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-10-24
专利名称：晶体管及其形成方法
专利号：201610964304.9
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-10-28
专利名称：静电放电保护结构及其形成方法
专利号：201610877723.9
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-09-30
专利名称：晶体管及其形成方法
专利号：201611000020.4
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-11-14
专利名称：半导体结构及其形成方法
专利号：201610979685.8
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-11-08
专利名称：接触电阻测试结构
专利号：201621492590.5
专利权人：SMIC(BJ)-SMIC(SH)
时间：2016-12-30
专利名称：半导体结构及其形成方法
专利号：201611082510.3
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-11-30
专利名称：晶体管及其形成方法
专利号：201611033736.4
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-11-18
专利名称：多阈值电压晶体管及其形成方法
专利号：201611082490.X
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-11-30
专利名称：半导体结构的形成方法
专利号：201610831749.X
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-09-19
专利名称：半导体结构及其形成方法
专利号：201611013353.0
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-11-17
专利名称：半导体结构及其制造方法
专利号：201611001696.5
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-11-11
专利名称：MOS电容及其形成方法
专利号：201611264809.0
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-12-30