专利
专利名称：半导体器件及其形成方法
专利号：201611082506.7
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-11-30
专利名称：半导体器件及其制造方法
专利号：201610753384.3
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-08-29
专利名称：一种半导体器件及制备方法、电子装置
专利号：201610919383.1
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-10-21
专利名称：鳍式场效应管及其形成方法
专利号：201610908755.0
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-10-18
专利名称：半导体结构及其形成方法
专利号：201611110258.2
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-12-02
专利名称：用于改善短沟道效应的方法以及半导体结构
专利号：201610970759.1
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-10-28
专利名称：半导体结构及其形成方法
专利号：201611089140.6
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-11-30
专利名称：多阈值电压晶体管及其形成方法
专利号：201610962602.4
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-11-04
专利名称：鳍式场效应管及其形成方法
专利号：201610907894.1
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-10-18
专利名称：半导体器件及其形成方法
专利号：201610990039.1
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-11-10
专利名称：半导体结构的形成方法
专利号：201610964045.X
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-11-04
专利名称：动态随机存储器及其形成方法
专利号：201610994448.9
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-11-11
专利名称：动态随机存储器及其形成方法
专利号：201610994767.X
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-11-11
专利名称：一种半导体器件的制造方法
专利号：201610807671.8
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-09-07
专利名称：半导体器件及其形成方法
专利号：201610903470.8
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-10-17