专利
专利名称：半导体结构及其形成方法
专利号：201610756336.X
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-08-29
专利名称：半导体结构及其形成方法
专利号：201610788925.6
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-08-31
专利名称：双重图形化的方法
专利号：201610664716.0
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-08-12
专利名称：半导体器件及其形成方法
专利号：201610961821.0
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-11-04
专利名称：导体器件的形成方法
专利号：201610884440.7
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-10-10
专利名称：MOS器件的形成方法
专利号：201610756357.1
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-08-29
专利名称：双重图形化的方法
专利号：201610738863.8
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-08-26
专利名称：半导体结构的形成方法
专利号：201610664696.7
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-08-12
专利名称：半导体器件的形成方法
专利号：201611110266.7
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-12-02
专利名称：半导体结构及其形成方法
专利号：201611112156.4
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-12-02
专利名称：一种半导体器件及其制作方法
专利号：201610605668.8
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-07-28
专利名称：半导体器件及其形成方法
专利号：201610788845.0
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-08-31
专利名称：半导体结构的形成方法
专利号：201611089134.0
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-11-30
专利名称：鳍式场效应晶体管的形成方法
专利号：201610877710.1
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-09-30
专利名称：半导体结构的形成方法
专利号：201610664299.X
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-08-12