专利

专利名称：半导体结构及其形成方法
专利号：201610876700.6
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-09-30
专利名称：静电放电保护结构及其形成方法和工作方法
专利号：201611083625.4
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-11-30
专利名称：一种半导体器件及制备方法、电子装置
专利号：201610630885.2
专利权人：SMIC(BJ)-SMIC(SH)
时间：2016-08-04
专利名称：半导体结构的形成方法
专利号：201610885872.X
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-10-10
专利名称：半导体结构的形成方法
专利号：201611081247.6
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-11-30
专利名称：半导体结构的形成方法
专利号：201610667669.5
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-08-12
专利名称：半导体结构的形成方法
专利号：201610662636.1
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-08-12
专利名称：半导体器件的形成方法
专利号：201610414246.2
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-06-13
专利名称：鳍式场效应管的形成方法
专利号：201610292137.8
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-05-05
专利名称：FINFET AND FABRICATION METHOD THEREOF
专利号：17168684.3
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2017-04-28
专利名称：LDMOS及其形成方法
专利号：201610788877.0
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-08-31
专利名称：半导体结构的形成方法
专利号：201610664338.6
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-08-12
专利名称：半导体结构的形成方法
专利号：201610666918.9
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-08-12
专利名称：半导体器件及其形成方法
专利号：201610531684.7
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-07-07
专利名称：鳍式场效应管的形成方法
专利号：201610527809.9
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-07-06
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