专利
专利名称：半导体结构的制造方法
专利号：201610776415.7
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-08-30
专利名称：半导体器件的形成方法
专利号：201610646956.8
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-08-09
专利名称：半导体器件的形成方法
专利号：201610744155.5
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-08-26
专利名称：半导体结构的形成方法
专利号：201610787056.5
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-08-31
专利名称：互连结构及其制造方法
专利号：201610868147.1
专利权人：SMIC(BJ)-SMIC(SH)
时间：2016-09-30
专利名称：监控FinFET器件自发热效应的结构
专利号：201621163461.1
专利权人：SMIC(TJ)-SMIC(SH)
时间：2016-10-25
专利名称：二极管结构
专利号：201621092544.6
专利权人：SMIC(TJ)-SMIC(SH)
时间：2016-09-29
专利名称：互连结构及形成方法
专利号：201610407462.4
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-06-12
专利名称：半导体结构及形成方法
专利号：201610407471.3
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-06-12
专利名称：鳍式场效应晶体管的制造方法
专利号：201610884434.1
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-10-10
专利名称：半导体结构及其形成方法
专利号：201610537321.4
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-07-08
专利名称：石墨烯器件及其制造方法
专利号：201611239028.6
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-12-28
专利名称：鳍式场效应晶体管的形成方法
专利号：201610424408.0
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-06-15
专利名称：半导体结构的形成方法
专利号：201610755894.4
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-08-29
专利名称：鳍式电阻元件及半导体器件的形成方法
专利号：201610885892.7
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-10-10