专利
专利名称：半导体结构的形成方法
专利号：201610666905.1
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-08-12
专利名称：栅控二极管及其形成方法
专利号：201610315907.6
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-05-12
专利名称：半导体结构及其形成方法
专利号：201610667678.4
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-08-12
专利名称：半导体装置的制造方法
专利号：201610927351.6
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-10-31
专利名称：半导体器件的形成方法
专利号：201610753433.3
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-08-29
专利名称：一种半导体器件及其制造方法
专利号：201610490291.6
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-06-29
专利名称：半导体器件的形成方法
专利号：201610744154.0
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-08-26
专利名称：半导体电阻及其制造方法
专利号：201611046393.5
专利权人：SMIC(BJ)-SMIC(SH)
时间：2016-11-23
专利名称：一种半导体器件及其制作方法
专利号：201610458068.3
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-06-22
专利名称：多阈值电压鳍式场效应晶体管及其形成方法
专利号：201610527902.X
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-07-06
专利名称：一种半导体器件及其制造方法和电子装置
专利号：201610642282.4
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-08-08
专利名称：半导体结构及其形成方法
专利号：201610527850.6
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-07-06
专利名称：互连结构及其制造方法
专利号：201610925896.3
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-10-31
专利名称：半导体装置及其制造方法
专利号：201610927382.1
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-10-31
专利名称：晶体管的形成方法
专利号：201610537318.2
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-07-08