专利

专利名称：半导体结构及其形成方法
专利号：201610527878.X
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-07-06
专利名称：半导体结构及其形成方法
专利号：201610662471.8
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-08-12
专利名称：半导体器件及其形成方法
专利号：201610531721.4
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-07-07
专利名称：半导体器件的形成方法
专利号：201610420475.5
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-06-13
专利名称：半导体结构的形成方法
专利号：201610755917.1
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-08-29
专利名称：半导体结构的形成方法
专利号：201610662870.4
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-08-12
专利名称：半导体结构及其形成方法
专利号：201610738843.0
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-08-26
专利名称：半导体结构及其形成方法
专利号：201610662867.2
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-08-12
专利名称：半导体结构的形成方法
专利号：201610531756.8
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-07-07
专利名称：半导体器件的形成方法
专利号：201610424879.1
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-06-15
专利名称：鳍式场效应管的形成方法
专利号：201610410566.0
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-06-13
专利名称：CMOS器件、PMOS器件及NMOS器件的形成方法
专利号：201610414190.0
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-06-13
专利名称：静电放电保护结构及其形成方法
专利号：201610666917.4
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-08-12
专利名称：静电放电保护结构及其形成方法
专利号：201610756374.5
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-08-29
专利名称：半导体结构及其形成方法
专利号：201610665029.0
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-08-12
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