专利
专利名称：半导体结构及其形成方法
专利号：201610527859.7
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-07-06
专利名称：鳍式场效应晶体管及其制备方法
专利号：201610650352.0
专利权人：SMIC(TJ)-SMIC(SH)
时间：2016-08-08
专利名称：半导体结构及其制造方法
专利号：201610527732.5
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-07-06
专利名称：改善器件性能的方法
专利号：201610531705.5
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-07-07
专利名称：半导体结构的形成方法
专利号：201610784566.7
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-08-31
专利名称：一种半导体器件及其制造方法和电子装置
专利号：201610578207.6
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-07-21
专利名称：半导体结构及其形成方法
专利号：201610527753.7
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-07-06
专利名称：半导体结构的形成方法
专利号：201610319283.5
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-05-13
专利名称：半导体结构的制造方法
专利号：201610744290.X
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-08-26
专利名称：半导体结构的制造方法
专利号：201610404105.2
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-06-08
专利名称：半导体器件及其制作方法、电子装置
专利号：201610633429.3
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-08-04
专利名称：鳍式场效应管的形成方法
专利号：201610420451.X
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-06-13
专利名称：半导体结构的形成方法
专利号：201610885803.9
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-10-10
专利名称：半导体结构及其形成方法
专利号：201610664667.0
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-08-12
专利名称：FinFET半导体器件及其制造方法
专利号：201610584840.6
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-07-22