专利
专利名称：金属栅极及半导体器件的制造方法
专利号：201610720006.5
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-08-24
专利名称：FinFET器件的制造方法
专利号：201610643226.2
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-08-08
专利名称：半导体结构的形成方法
专利号：201610744286.3
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-08-26
专利名称：半导体结构及其形成方法
专利号：201610711318.X
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-08-23
专利名称：半导体结构及其形成方法
专利号：201611100048.5
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-12-02
专利名称：鳍式场效应管及其形成方法
专利号：201610531664.X
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-07-07
专利名称：半导体结构的形成方法
专利号：201610980028.5
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-11-08
专利名称：半导体结构及其形成方法
专利号：201610964042.6
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-11-04
专利名称：一种半导体器件的制造方法
专利号：201610915624.5
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-10-20
专利名称：半导体结构及其形成方法
专利号：201610884437.5
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-10-10
专利名称：半导体结构及其形成方法
专利号：201611089174.5
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-11-30
专利名称：半导体结构的形成方法
专利号：201610972378.7
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-11-04
专利名称：鳍式场效应管的制造方法
专利号：201610991129.2
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-11-08
专利名称：鳍式场效应晶体管及其制造方法
专利号：201610630458.4
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-08-03
专利名称：一种半导体器件及其制造方法、电子装置
专利号：201610881311.2
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-10-09