专利

专利名称：半导体器件及其形成方法
专利号：201610216931.4
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-04-08
专利名称：Semiconductor Device and Fabrication Methods Thereof
专利号：17163841.4
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2017-03-31
专利名称：SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF
专利号：15/436,897
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2017-02-20
专利名称：半导体器件及其形成方法
专利号：201610217443.5
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-04-08
专利名称：半导体结构及其制造方法
专利号：201610297863.9
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-05-06
专利名称：半导体器件的形成方法
专利号：201610646944.5
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-08-09
专利名称：改善半导体器件性能的方法
专利号：201610293059.3
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-05-05
专利名称：半导体器件的形成方法
专利号：201610646942.6
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-08-09
专利名称：半导体装置及其制造方法
专利号：201611046396.9
专利权人：SMIC(BJ)-SMIC(SH)
时间：2016-11-23
专利名称：半导体器件的形成方法
专利号：201610786851.2
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-08-31
专利名称：一种半导体器件及其制造方法
专利号：201610505261.8
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-06-30
专利名称：鳍式场效应晶体管的形成方法
专利号：201610217390.7
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-04-08
专利名称：一种FinFET器件的制造方法
专利号：201610505262.2
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-06-30
专利名称：半导体器件的形成方法
专利号：201610803018.4
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-09-05
专利名称：半导体器件的形成方法
专利号：201610784554.4
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-08-31
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