专利
专利名称：半导体结构的形成方法
专利号：201610516729.3
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-07-04
专利名称：栅控二极管及其形成方法
专利号：201610407349.6
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-06-12
专利名称：半导体结构的形成方法
专利号：201610518854.8
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-07-04
专利名称：半导体结构及其制造方法
专利号：201610365196.3
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-05-27
专利名称：鳍式场效应管及其形成方法
专利号：201610293057.4
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-05-05
专利名称：半导体结构及其制造方法
专利号：201610405073.8
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-06-08
专利名称：半导体结构及其制造方法
专利号：201610407517.1
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-06-12
专利名称：一种半导体器件及其制造方法
专利号：201610349234.6
专利权人：SMIC(BJ)-SMIC(SH)
时间：2016-05-24
专利名称：一种自热效应检测结构
专利号：201620500587.7
专利权人：SMIC(BJ)-SMIC(SH)
时间：2016-05-27
专利名称：半导体结构及其制造方法
专利号：201610407359.X
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-06-12
专利名称：半导体结构的制造方法
专利号：201610527879.4
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-07-06
专利名称：半导体结构及其制造方法
专利号：201610297862.4
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-05-06
专利名称：半导体结构的制造方法
专利号：201610404103.3
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-06-08
专利名称：一种鳍式场效应晶体管器件测试结构
专利号：201620502354.0
专利权人：SMIC(BJ)-SMIC(SH)
时间：2016-05-27
专利名称：半导体结构及其形成方法和光刻偏移的测量方法
专利号：201610518877.9
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-07-04