专利
专利名称：用于监控LDD掺杂区电阻的测试版图及测试结构
专利号：201620427533.2
专利权人：SMIC(TJ)-SMIC(SH)
时间：2016-05-10
专利名称：半导体结构的制造方法
专利号：201610216872.0
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-04-08
专利名称：半导体结构的制造方法
专利号：201610208077.7
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-04-05
专利名称：半导体结构及其制造方法
专利号：201610206428.0
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-04-05
专利名称：半导体装置及其制造方法
专利号：201610424198.5
专利权人：SMIC(BJ)-SMIC(SH)
时间：2016-06-15
专利名称：LDMOS FINFET DEVICE
专利号：15/473,183
专利权人：SMIC(BJ)-SMIC(SH)
时间：2017-03-29
专利名称：半导体结构及形成方法
专利号：201610407346.2
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-06-12
专利名称：半导体结构的形成方法
专利号：201610134357.8
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-03-09
专利名称：半导体结构及其形成方法
专利号：201610134354.4
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-03-09
专利名称：FinFET检测结构
专利号：201620561686.6
专利权人：SMIC(TJ)-SMIC(SH)
时间：2016-06-08
专利名称：一种半导体器件及其制备方法、电子装置
专利号：201610216320.X
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-04-08
专利名称：半导体装置及其制造方法
专利号：201610899633.X
专利权人：SMIC(SH)-ATD-IMEC
时间：2016-10-17
专利名称：鳍式场效应晶体管及其形成方法
专利号：201610318186.4
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-05-13
专利名称：鳍式场效应管的形成方法
专利号：201610210892.7
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-04-06
专利名称：改善鳍式场效应管性能的方法
专利号：201610208067.3
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-04-05