专利
专利名称：SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND FABRICATION METHOD THEREOF
专利号：15/397,817
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2017-01-05
专利名称：半导体结构及其形成方法
专利号：201610210757.2
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-04-06
专利名称：静电放电保护器件、半导体装置及制造方法
专利号：201610622768.1
专利权人：SMIC(BJ)-SMIC(SH)
时间：2016-08-02
专利名称：晶体管及其形成方法
专利号：201610231449.8
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-04-14
专利名称：TRANSISTOR AND FABRICATION METHOD THEREOF
专利号：15/435,557
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2017-02-17
专利名称：静电放电ESD保护器件以及保护电路的方法
专利号：201610626293.3
专利权人：SMIC(BJ)-SMIC(SH)
时间：2016-08-02
专利名称：多阈值电压晶体管及其形成方法
专利号：201610309549.8
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-05-11
专利名称：一种半导体测试结构
专利号：201620195460.9
专利权人：SMIC(BJ)-SMIC(SH)
时间：2016-03-14
专利名称：半导体装置的制造方法
专利号：201610620771.X
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-08-01
专利名称：INCREASING THICKNESS OF FUNCTIONAL LAYER ACCORDING TO INCREASING RECESS AREA
专利号：15/473,318
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2017-03-29
专利名称：MOS变容器、栅极堆叠结构及其制造方法
专利号：201610512828.4
专利权人：SMIC(BJ)-SMIC(SH)
时间：2016-07-01
专利名称：MOS-VARACTOR DESIGN TO IMPROVE TUNING EFFICIENCY
专利号：15/489,768
专利权人：SMIC(BJ)-SMIC(SH)
时间：2017-04-18
专利名称：鳍式场效应晶体管及其形成方法
专利号：201610664323.X
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-08-12
专利名称：半导体结构及其形成方法
专利号：201610309510.6
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-05-11
专利名称：半导体结构及其形成方法
专利号：201610237031.8
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-04-15
