专利
专利名称：半导体结构的制造方法
专利号：201610006560.7
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-01-06
专利名称：鳍式晶体管的形成方法
专利号：201610130608.5
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-03-08
专利名称：半导体装置及其制造方法
专利号：201610379168.7
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-06-01
专利名称：LDMOS晶体管及其形成方法、以及ESD器件及其形成方法
专利号：201610365140.8
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-05-27
专利名称：LDMOS TRANSISTOR, ESD DEVICE, AND FABRICATION METHOD THEREOF
专利号：15/471,612
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2017-03-28
专利名称：改善器件性能的方法
专利号：201610083851.6
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-02-05
专利名称：半导体结构及其形成方法
专利号：201610133540.6
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-03-09
专利名称：半导体结构及其形成方法
专利号：201610134369.0
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-03-09
专利名称：半导体结构的形成方法
专利号：201610006641.7
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-01-06
专利名称：鳍式场效应晶体管的形成方法
专利号：201610129783.2
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-03-08
专利名称：半导体装置及其制造方法
专利号：201610379186.5
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-06-01
专利名称：SRAM存储器及其形成方法
专利号：201610231201.1
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-04-14
专利名称：鳍式场效应晶体管的形成方法
专利号：201610130606.6
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-03-08
专利名称：半导体结构及其形成方法
专利号：201610081033.2
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-02-04
专利名称：Semiconductor Structure and Fabrication Method Thereof
专利号：17153089.2
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2017-01-25
