专利
专利名称：变容晶体管及其制造方法
专利号：201610512157.1
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-07-01
专利名称：FinFET VARACTOR
专利号：15/400,201
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2017-01-06
专利名称：晶体管的形成方法
专利号：201610082752.6
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-02-05
专利名称：改善鳍式场效应管性能的方法
专利号：201610008943.8
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-01-07
专利名称：半导体结构的形成方法
专利号：201610006670.3
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-01-06
专利名称：半导体结构的形成方法
专利号：201610083793.7
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-02-05
专利名称：晶体管的形成方法
专利号：201610083791.8
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-02-05
专利名称：鳍式晶体管的形成方法
专利号：201610079532.8
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-02-03
专利名称：半导体装置及其制造方法
专利号：201610510635.5
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-07-01
专利名称：半导体结构的形成方法
专利号：201610006666.7
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-01-06
专利名称：半导体结构的形成方法
专利号：201610082716.X
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-02-05
专利名称：双极型晶体管及其形成方法
专利号：201610006633.2
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-01-06
专利名称：半导体结构及其制造方法
专利号：201610006662.9
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-01-06
专利名称：晶体管的形成方法
专利号：201610079609.1
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-02-03
专利名称：离子注入测试样品的制备方法及测试方法
专利号：201610079576.0
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-02-03