专利
专利名称：半导体结构的制造方法
专利号：201510923234.8
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-12-11
专利名称：半导体结构及其制造方法
专利号：201511024383.7
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-12-30
专利名称：半导体装置及其制造方法
专利号：201610379443.5
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-06-01
专利名称：METHOD AND DEVICE FOR FINFET SRAM
专利号：15/473,205
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2017-03-29
专利名称：鳍式场效应管的形成方法
专利号：201610008863.2
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-01-07
专利名称：Fin Field-Effect Transistor and Fabrication Method Thereof
专利号：16207189.8
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-12-28
专利名称：FIN FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND FABRICATION METHOD THEREOF
专利号：15/398,786
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2017-01-05
专利名称：CMOS器件测试结构及CMOS器件
专利号：201620354804.6
专利权人：SMIC(TJ)-SMIC(SH)
时间：2016-04-22
专利名称：改善鳍式场效应管性能的方法
专利号：201610008945.7
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-01-07
专利名称：Semiconductor Device and Fabrication Method Thereof
专利号：16207188.0
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-12-28
专利名称：半导体结构的形成方法
专利号：201610082771.9
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-02-05
专利名称：多阈值电压鳍式晶体管的形成方法
专利号：201610006598.4
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-01-06
专利名称：半导体结构的制造方法
专利号：201510923214.0
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-12-11
专利名称：鳍式晶体管的形成方法
专利号：201610006646.X
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-01-06
专利名称：半导体器件以及改善半导体器件性能的方法
专利号：201610011819.7
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-01-08
