专利
专利名称：鳍式场效应晶体管的形成方法
专利号：201610006672.2
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-01-06
专利名称：一种半导体器件及其制作方法
专利号：201610240682.2
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-04-18
专利名称：一种半导体器件及其制造方法、电子装置
专利号：201610392515.X
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-06-03
专利名称：鳍式场效应晶体管及其形成方法
专利号：201510702090.3
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-10-26
专利名称：半导体装置的制造方法
专利号：201610073020.0
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-02-02
专利名称：Method and Structure for Finfet Sram
专利号：17153086.8
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2017-01-25
专利名称：METHOD AND STRUCTURE FOR FINFET SRAM
专利号：15/384,194
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-12-19
专利名称：半导体结构的形成方法
专利号：201510904219.9
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-12-09
专利名称：半导体结构的形成方法
专利号：201610082753.0
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-02-05
专利名称：静电放电保护结构及其形成方法
专利号：201610083844.6
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-02-05
专利名称：半导体结构及其形成方法
专利号：201511025312.9
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-12-30
专利名称：半导体结构的形成方法
专利号：201511025334.5
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-12-30
专利名称：电容器件及其形成方法
专利号：201610079741.2
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-02-03
专利名称：半导体装置及其制造方法
专利号：201610423223.8
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-06-15
专利名称：LDMOS DESIGN FOR A FINFET DEVICE
专利号：15/471,983
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2017-03-28
