专利
专利名称：ESD保护器件和半导体装置
专利号：201610185829.2
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-03-29
专利名称：High Voltage ESD Device for Finfet Technology
专利号：17162365.5
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2017-03-23
专利名称：HIGH VOLTAGE ESD DEVICE FOR FINFET TECHNOLOGY
专利号：15/334,130
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-10-25
专利名称：一种自热效应检测结构
专利号：201620068011.8
专利权人：SMIC(BJ)-SMIC(SH)
时间：2016-01-22
专利名称：提高鳍式场效应管性能的方法
专利号：201510894467.X
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-12-07
专利名称：鳍式场效应晶体管的形成方法
专利号：201510875811.0
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-12-02
专利名称：半导体结构及其形成方法和检测方法
专利号：201610210758.7
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-04-06
专利名称：半导体装置的制造方法
专利号：201610379189.9
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-06-01
专利名称：METHOD FOR REDUCING N-TYPE FINFET SOURCE AND DRAIN RESISTANCE
专利号：15/390,279
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-12-23
专利名称：一种半导体器件及其制造方法、电子装置
专利号：201610015203.7
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-01-11
专利名称：晶体管的形成方法
专利号：201510926289.4
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-12-11
专利名称：鳍式半导体器件的形成方法
专利号：201610006596.5
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-01-06
专利名称：静电放电ESD保护器件和半导体装置
专利号：201610379423.8
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-06-01
专利名称：ESD PROTECTION DEVICE AND METHOD
专利号：15/397,376
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2017-01-03
专利名称：鳍式晶体管的形成方法
专利号：201610006643.6
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-01-06
