专利
专利名称：SEMICONDUCTOR STRUCTURES AND FABRICATION METHODS THEREOF
专利号：15/335,595
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-10-27
专利名称：半导体装置及其制造方法
专利号：201610018952.5
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-01-13
专利名称：A Method to Improve Gate Dielectric Quality for Finfet
专利号：17150927.6
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-11-01
专利名称：METHOD TO IMPROVE GATE DIELECTRIC QUALITY FOR FINFET
专利号：15/236,331
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-08-12
专利名称：改善核心器件和输入输出器件性能的方法
专利号：201510736925.7
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-11-03
专利名称：一种半导体器件及其制备方法、电子装置
专利号：201510672973.4
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-10-16
专利名称：改善SRAM性能的方法
专利号：201510896857.0
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-12-07
专利名称：半导体装置及其制造方法
专利号：201610073062.4
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-02-02
专利名称：AMethod to Improve Device Performance for Finfet
专利号：17152664.3
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2017-01-25
专利名称：METHOD TO IMPROVE DEVICE PERFORMANCE FOR FINFET
专利号：15/292,086
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-10-12
专利名称：具有不同阈值电压的半导体器件的形成方法
专利号：201510896800.0
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-12-07
专利名称：CMOS器件的形成方法
专利号：201510894238.8
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-12-07
专利名称：半导体装置及其制造方法
专利号：201610091575.8
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-02-19
专利名称：A Method to Improve HCI Performance for Finfet
专利号：17155783.8
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2017-02-13
专利名称：METHOD TO IMPROVE HCI PERFORMANCE FOR FINFET
专利号：15/348,705
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-11-10
