专利
专利名称：鳍式场效应晶体管的形成方法
专利号：201510894481.X
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-12-07
专利名称：鳍式场效应晶体管的形成方法
专利号：201510894294.1
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-12-07
专利名称：鳍式晶体管的形成方法
专利号：201510993741.9
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-12-25
专利名称：Fin-Fet Device and Fabrication Method Thereof
专利号：16204646.0
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-12-16
专利名称：FIN-FET DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF
专利号：15/287,302
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-10-06
专利名称：半导体结构的形成方法
专利号：201510741813.0
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-11-04
专利名称：半导体结构的制造方法
专利号：201510746439.3
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-11-05
专利名称：Semiconductor Structures and Fabrication Methods Thereof
专利号：16196137.0
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-10-28
专利名称：SEMICONDUCTOR STRUCTURES AND FABRICATION METHODS THEREOF
专利号：15/335,248
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-10-26
专利名称：存储器及其形成方法
专利号：201610080737.8
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-02-04
专利名称：Static Random Access Memory and Fabrication Method Thereof
专利号：17153213.8
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2017-01-26
专利名称：STATIC RANDOM ACCESS MEMORY AND FABRICATION METHOD THEREOF
专利号：15/407,387
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2017-01-17
专利名称：一种半导体器件及其制备方法、电子装置
专利号：201510672970.0
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-10-16
专利名称：半导体结构的制造方法
专利号：201510749620.X
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-11-05
专利名称：Semiconductor Structures and Fabrication Methods Thereof
专利号：16196178.4
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-10-28
