专利

专利名称：鳍式场效应管的形成方法
专利号：201510658332.3
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-10-12
专利名称：半导体器件及其形成方法
专利号：201510612767.4
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-09-23
专利名称：一种半导体器件及其制备方法、电子装置
专利号：201510673706.9
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-10-16
专利名称：鳍式场效应管的形成方法
专利号：201510631672.7
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-09-29
专利名称：一种半导体器件及其制备方法、电子装置
专利号：201510675619.7
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-10-16
专利名称：鳍式场效应管的形成方法
专利号：201510631716.6
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-09-29
专利名称：一种半导体器件及其制造方法
专利号：201510976849.7
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-12-23
专利名称：一种半导体器件及其制备方法、电子装置
专利号：201510675632.2
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-10-16
专利名称：半导体结构及其形成方法
专利号：201510631720.2
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-09-29
专利名称：高K金属栅晶体管的形成方法
专利号：201510894275.9
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-12-07
专利名称：High-K Metal Gate Transistor Structure and Fabrication Method Thereof
专利号：16199544.4
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-11-21
专利名称：HIGH-K METAL GATE TRANSISTOR STRUCTURE AND FABRICATION METHOD THEREOF
专利号：15/337,894
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-10-28
专利名称：静电放电保护结构及其形成方法
专利号：201510995357.2
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-12-25
专利名称：鳍式场效应晶体管的形成方法
专利号：201510887996.7
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-12-04
专利名称：一种半导体器件及其制备方法、电子装置
专利号：201510673877.1
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-10-16
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