专利
专利名称：半导体结构及其形成方法
专利号：201510640874.8
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-09-30
专利名称：一种半导体器件及其制备方法、电子装置
专利号：201510976483.3
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-12-23
专利名称：测试结构及其形成方法、测试方法
专利号：201510642572.4
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-09-30
专利名称：鳍式场效应管的形成方法
专利号：201510555549.1
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-09-02
专利名称：FIN FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND FABRICATION METHOD THEREOF
专利号：15/238,573
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-08-16
专利名称：一种半导体器件及其制备方法、电子装置
专利号：201510674342.6
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-10-16
专利名称：半导体结构的形成方法
专利号：201510690768.0
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-10-22
专利名称：Semiconductor Structure and Fabricating Method Thereof
专利号：16193027.6
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-10-10
专利名称：SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND FABRICATING METHOD THEREOF
专利号：15/284,839
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-10-04
专利名称：一种半导体器件及其制备方法、电子装置
专利号：201510979120.5
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-12-23
专利名称：一种半导体器件及其制备方法、电子装置
专利号：201510674010.8
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-10-16
专利名称：鳍式场效应管的形成方法
专利号：201510657291.6
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-10-12
专利名称：鳍式场效应管的形成方法
专利号：201510741802.2
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-11-04
专利名称：鳍式场效应管的形成方法
专利号：201510631671.2
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-09-29
专利名称：鳍式场效应管的形成方法
专利号：201510658333.8
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-10-12
