专利
专利名称：一种半导体器件及其制备方法、电子装置
专利号：201510661897.7
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-10-14
专利名称：鳍式场效应管的形成方法
专利号：201510657265.3
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-10-12
专利名称：半导体结构的形成方法
专利号：201510548258.X
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-08-31
专利名称：半导体结构及其形成方法
专利号：201510642509.0
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-09-30
专利名称：半导体装置及其制造方法
专利号：201510969841.8
专利权人：SMIC(BJ)-SMIC(SH)
时间：2015-12-22
专利名称：Method and Device for Reducing Finfet Self-Heating Effect
专利号：16204241.0
专利权人：SMIC(BJ)-SMIC(SH)
时间：2016-12-15
专利名称：METHOD AND DEVICE FOR REDUCING FINFET SELF-HEATING EFFECT
专利号：15/280,482
专利权人：SMIC(BJ)-SMIC(SH)
时间：2016-09-29
专利名称：一种半导体器件及其制备方法、电子装置
专利号：201510666662.7
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-10-15
专利名称：半导体结构及其形成方法
专利号：201510713879.9
专利权人：SMIC(BJ)-SMIC(SH)
时间：2015-10-28
专利名称：Semiconductor Device and Fabrication Method for Forming the Same
专利号：16194587.8
专利权人：SMIC(BJ)-SMIC(SH)
时间：2016-10-19
专利名称：SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION METHOD FOR FORMING THE SAME
专利号：15/242,562
专利权人：SMIC(BJ)-SMIC(SH)
时间：2016-08-21
专利名称：静电放电保护结构及其形成方法
专利号：201610008649.7
专利权人：SMIC(BJ)-SMIC(SH)
时间：2016-01-06
专利名称：An Electrostatic Discharge Protection Structure and Fabrication Thereof
专利号：16207262.3
专利权人：SMIC(BJ)-SMIC(SH)
时间：2016-12-29
专利名称：ELECTROSTATIC DISCHARGE PROTECTION STRUCTURE AND FABRICATION METHOD THEREOF
专利号：15/262,930
专利权人：SMIC(BJ)-SMIC(SH)
时间：2016-09-12
专利名称：半导体结构及其形成方法
专利号：201510652425.5
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-10-10
