专利
专利名称：鳍式双极结型晶体管的形成方法
专利号：201510451932.2
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-07-28
专利名称：半导体器件及其形成方法
专利号：201510459384.8
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-07-30
专利名称：鳍式场效应晶体管的形成方法
专利号：201510818102.9
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-11-23
专利名称：鳍式场效应晶体管的形成方法
专利号：201510532179.X
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-08-26
专利名称：半导体结构的形成方法
专利号：201510653680.1
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-10-10
专利名称：一种半导体器件及其制备方法、电子装置
专利号：201510566198.4
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-09-08
专利名称：静电放电保护结构及其形成方法
专利号：201510654344.9
专利权人：SMIC(BJ)-SMIC(SH)
时间：2015-10-10
专利名称：Electrostatic Discharge Protection Device and Method for Forming the Same
专利号：16191888.3
专利权人：SMIC(BJ)-SMIC(SH)
时间：2016-09-30
专利名称：ELECTROSTATIC DISCHARGE PROTECTION DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME
专利号：15/275,030
专利权人：SMIC(BJ)-SMIC(SH)
时间：2016-09-23
专利名称：鳍式场效应管的形成方法
专利号：201510894258.5
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-12-07
专利名称：一种半导体器件及其制备方法、电子装置
专利号：201510666567.7
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-10-15
专利名称：鳍式场效应管的形成方法
专利号：201510658346.5
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-10-12
专利名称：测试结构及其形成方法、测试方法
专利号：201510612745.8
专利权人：SMIC(BJ)-SMIC(SH)
时间：2015-09-23
专利名称：TEST STRUCTURE, FABRICATION METHOD, AND TEST METHOD
专利号：16190130.1
专利权人：SMIC(BJ)-SMIC(SH)
时间：2016-09-22
专利名称：TEST STRUCTURE, FABRICATON METHOD,AND TEST METHOD
专利号：15/238,616
专利权人：SMIC(BJ)-SMIC(SH)
时间：2016-08-16
