专利
专利名称：半导体结构的形成方法
专利号：201410339403.9
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-07-16
专利名称：半导体结构的形成方法
专利号：201410350579.4
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-07-22
专利名称：一种FinFET器件及其制造方法、电子装置
专利号：201410260807.9
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-06-12
专利名称：一种FinFET及其制造方法、电子装置
专利号：201410260429.4
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-06-12
专利名称：半导体结构的形成方法
专利号：201410347625.5
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-07-21
专利名称：SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF
专利号：14/799,879
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-07-15
专利名称：一种半导体器件及其制造方法
专利号：201410231776.4
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-05-28
专利名称：一种半导体器件及其制造方法、电子装置
专利号：201410538619.8
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-10-13
专利名称：FINFET STRUCTURE AND MANUFACTURE METHOD
专利号：14/839,915
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-08-28
专利名称：FINFET STRUCTURE
专利号：15/269,946
专利权人：SMIC(SH)
时间：2016-09-19
专利名称：半导体装置及其制造方法
专利号：201410500106.8
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-09-26
专利名称：METHODS FOR FINFET SOURCE/DRAIN FORMATION AND FINFET DEVICES
专利号：14/842,773
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-09-01
专利名称：半导体结构及其形成方法
专利号：201410439760.2
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-08-30
专利名称：LDMOS器件及其制造方法
专利号：201410499784.7
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-09-26
专利名称：FINFET LDMOS DEVICE AND MANUFACTURING METHODS
专利号：14/839,917
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-08-28
