专利

专利名称：测量栅介质层厚度的半导体结构及栅介质层厚度测量方法
专利号：201410522576.4
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-09-30
专利名称：LDMOS晶体管形成方法及LDMOS晶体管
专利号：201410521972.5
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-09-30
专利名称：半导体结构及其形成方法
专利号：201410367329.1
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-07-29
专利名称：晶体管的形成方法
专利号：201410505412.0
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-09-26
专利名称：晶体管的形成方法
专利号：201410505488.3
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-09-26
专利名称：鳍式场效应晶体管及其形成方法
专利号：201510016512.1
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-01-13
专利名称：金属栅极的形成方法
专利号：201410553899.X
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-10-17
专利名称：晶体管的形成方法
专利号：201410504611.X
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-09-26
专利名称：晶体管的形成方法
专利号：201410504675.X
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-09-26
专利名称：半导体结构的形成方法
专利号：201410438399.1
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-08-29
专利名称：半导体结构的形成方法
专利号：201410736250.1
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-12-04
专利名称：一种半导体器件及其制造方法和电子装置
专利号：201510014336.8
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-01-12
专利名称：LDMOS晶体管的形成方法及LDMOS晶体管
专利号：201410522011.6
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-09-30
专利名称：半导体结构的形成方法
专利号：201410588908.9
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-10-28
专利名称：晶体管的形成方法
专利号：201510005016.6
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-01-06
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