专利
专利名称：鳍式场效应晶体管的形成方法
专利号：201410131233.5
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-04-02
专利名称：一种制作半导体器件的方法
专利号：201410198629.1
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-05-12
专利名称：一种制作半导体器件的方法
专利号：201410197826.1
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-05-12
专利名称：半导体器件的形成方法
专利号：201410184449.8
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-05-04
专利名称：半导体器件的形成方法
专利号：201410310706.8
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-07-01
专利名称：半导体器件的形成方法
专利号：201410308831.5
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-06-30
专利名称：半导体结构的形成方法和半导体结构
专利号：201410310726.5
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-07-01
专利名称：半导体结构的形成方法
专利号：201410182739.9
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-04-30
专利名称：半导体结构及其形成方法
专利号：201410299497.1
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-06-26
专利名称：一种半导体器件及其制造方法和电子装置
专利号：201410325525.2
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-07-09
专利名称：一种半导体器件及其制造方法、电子装置
专利号：201410537804.5
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-10-13
专利名称：半导体器件的形成方法
专利号：201410308810.3
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-06-30
专利名称：鳍式场效应晶体管的形成方法
专利号：201410308867.3
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-06-30
专利名称：检测样品的制备方法及检测样品
专利号：201410522596.1
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-09-30
专利名称：N型鳍式场效应晶体管及其形成方法
专利号：201410403568.8
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-08-15
