专利
专利名称：一种半导体器件及其制造方法
专利号：201410325676.8
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-07-09
专利名称：SEMICONDUCTOR DEVICE AND RELATED MANUFACTURING METHOD
专利号：14/748,491
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-06-24
专利名称：一种集成电路的设计方法和集成电路
专利号：201410163001.8
专利权人：SMIC(BJ)-SMIC(SH)
时间：2014-04-22
专利名称：INTEGRATED CIRCUIT AND RELATED MANUFACTURING METHOD
专利号：14/581,671
专利权人：SMIC(BJ)-SMIC(SH)
时间：2014-12-23
专利名称：半导体结构的形成方法
专利号：201410198240.7
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-05-12
专利名称：一种制作半导体器件的方法
专利号：201410198540.5
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-05-12
专利名称：半导体结构的形成方法
专利号：201410199456.5
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-05-12
专利名称：鳍式场效应管的形成方法
专利号：201410294769.9
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-06-26
专利名称：鳍式场效应管的形成方法
专利号：201410181377.1
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-04-30
专利名称：鳍式场效应晶体管的形成方法、MOS晶体管的形成方法
专利号：201410235132.2
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-05-29
专利名称：鳍式场效应晶体管的形成方法
专利号：201410240693.1
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-05-30
专利名称：FIN FIELD-EFFCT TRANSISTORS AND FABRICATION METHOD THEREOF
专利号：14/722,671
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-05-27
专利名称：FIN FIELD-EFFCT TRANSISTORS
专利号：15/158,231
专利权人：SMIC(SH)
时间：2016-05-18
专利名称：LDMOS器件
专利号：201510021363.8
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-01-15
专利名称：浅沟槽隔离结构的形成方法
专利号：201410131577.6
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-04-02
