专利

专利名称：形成具有空气间隙的半导体器件的方法
专利号：201610178733.3
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-03-25
专利名称：半导体测试单元及半导体测试结构
专利号：201610620291.3
专利权人：SMIC(BJ)-SMIC(SH)
时间：2016-08-01
专利名称：芯片
专利号：201620242976.4
专利权人：SMIC(TJ)-SMIC(SH)
时间：2016-03-25
专利名称：鳍式场效应晶体管及其形成方法
专利号：201610006616.9
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-01-06
专利名称：静电放电保护器件及其形成方法
专利号：201610134352.5
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-03-09
专利名称：半导体器件及其形成方法
专利号：201610192692.3
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-03-30
专利名称：互连结构及其制造方法
专利号：201610532198.7
专利权人：SMIC(BJ)-SMIC(SH)
时间：2016-07-07
专利名称：半导体结构的形成方法
专利号：201610213621.7
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-04-07
专利名称：Semiconductor Structure and Fabricating Method Thereof
专利号：17163839.8
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2017-03-31
专利名称：模拟信号检测系统和模拟信号检测方法
专利号：201610274375.6
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-04-28
专利名称：半导体结构及其形成方法
专利号：201610133526.6
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-03-09
专利名称：研磨垫及其形成方法、研磨监测方法
专利号：201610297881.7
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-05-06
专利名称：晶体管的形成方法
专利号：201610407414.5
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-06-12
专利名称：半导体结构的形成方法
专利号：201610315813.9
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-05-12
专利名称：一种半导体器件的制造方法
专利号：201610331056.4
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-05-18
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