专利

专利名称：对准方法及对准系统
专利号：201610309546.4
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-05-11
专利名称：ALIGNMETN METHOD AND ALIGNMENT SYSTEM THEREOF
专利号：17168685.0
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2017-04-28
专利名称：双重图形化的方法
专利号：201610011927.4
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-01-08
专利名称：互连结构的形成方法
专利号：201610129790.2
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-03-08
专利名称：半导体装置及其制造方法
专利号：201610516625.2
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-07-04
专利名称：一种半导体器件及其制造方法、电子装置
专利号：201610034509.7
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-01-19
专利名称：晶体管及其形成方法
专利号：201610079377.X
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-02-03
专利名称：半导体结构的形成方法
专利号：201610079397.7
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-02-03
专利名称：半导体结构的形成方法
专利号：201610213608.1
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-04-07
专利名称：鳍式场效应晶体管及其形成方法
专利号：201610079722.X
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-02-03
专利名称：半导体结构的形成方法
专利号：201610079616.1
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-02-03
专利名称：检测样品的制备方法和检测方法
专利号：201610213349.2
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-04-07
专利名称：鳍式场效应晶体管的形成方法
专利号：201610130609.X
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-03-08
专利名称：用于温度测量的半导体结构和温度测量方法
专利号：201610620959.4
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-08-02
专利名称：半导体结构的形成方法
专利号：201610315837.4
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-05-12
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