专利
专利名称：Semiconductor Structure and Fabrication Method Thereof
专利号：17158824.7
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2017-03-03
专利名称：SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND FABRICATION METHOD THEREOF
专利号：15/452,788
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2017-03-08
专利名称：鳍部的形成方法和鳍式场效应管的形成方法
专利号：201610016115.9
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-01-11
专利名称：互连结构及其形成方法
专利号：201510923180.5
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-12-11
专利名称：半导体结构及其形成方法
专利号：201610080746.7
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-02-04
专利名称：半导体结构及其形成方法
专利号：201610081030.9
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-02-04
专利名称：一种控制晶圆排队等待时间的方法和系统
专利号：201610398774.3
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-06-07
专利名称：鳍部的形成方法和鳍式场效应管的形成方法
专利号：201610015659.3
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-01-11
专利名称：静电放电保护器件
专利号：201610083826.8
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-02-05
专利名称：Electrostatic Discharge Protection Device and Fabrication Method Thereof
专利号：17153216.1
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2017-01-26
专利名称：ELECTROSTATIC DISCHARGE PROTECTION DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF
专利号：15/407,290
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2017-01-17
专利名称：晶体管及其形成方法
专利号：201610083755.1
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-02-05
专利名称：隔离结构的形成方法和半导体结构的形成方法
专利号：201610134386.4
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-03-09
专利名称：光刻掩膜版的制造方法
专利号：201610129786.6
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-03-08
专利名称：一种半导体器件及其制作方法和电子装置
专利号：201610182177.7
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-03-28
