专利

专利名称：鳍式场效应晶体管的形成方法
专利号：201511031525.2
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-12-31
专利名称：包含有监测图形的掩膜版以及监测方法
专利号：201610083868.1
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-02-05
专利名称：氮化钛的形成方法
专利号：201610003779.1
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-01-04
专利名称：一种半导体器件及其制作方法
专利号：201610240602.3
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-04-18
专利名称：一种半导体器件及其制造方法、电子装置
专利号：201610392070.5
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-06-03
专利名称：半导体器件的形成方法
专利号：201610079660.2
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-02-03
专利名称：一种半导体器件及其制作方法和电子装置
专利号：201610204360.2
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-04-01
专利名称：鳍式场效应晶体管的形成方法
专利号：201510906912.X
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-12-09
专利名称：半导体装置及其制造方法
专利号：201610379201.6
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-06-01
专利名称：METHOD FOR FORMING FINFET DEVICE
专利号：15/483,554
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2017-04-10
专利名称：半导体结构及其形成方法
专利号：201510906938.4
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-12-09
专利名称：一种半导体器件及其制作方法
专利号：201610239362.5
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-04-18
专利名称：半导体结构的形成方法
专利号：201510904212.7
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-12-09
专利名称：半导体测试结构
专利号：201620224134.6
专利权人：SMIC(BJ)-SMIC(SH)
时间：2016-03-22
专利名称：半导体结构及其形成方法
专利号：201610134339.X
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-03-09
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