专利
专利名称：半导体器件的形成方法
专利号：201610006648.9
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-01-06
专利名称：半导体器件的形成方法
专利号：201610006642.1
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-01-06
专利名称：接触孔的形成方法
专利号：201510703687.X
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-10-26
专利名称：Contact via Structure and Fabricating Method Thereof
专利号：16194579.5
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-10-19
专利名称：CONTACT VIA STRUCTURE AND FABRICATING METHOD THEREOF
专利号：15/333,319
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-10-25
专利名称：半导体装置及其制造方法
专利号：201610191184.3
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-03-30
专利名称：Method for Fabricating Finfet Structure
专利号：17162505.6
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2017-03-24
专利名称：METHOD FOR FABRICATION FINFET STRUCTURE
专利号：15/397,584
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2017-01-03
专利名称：半导体结构的形成方法
专利号：201510703668.7
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-10-26
专利名称：半导体器件的形成方法
专利号：201511025300.6
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-12-30
专利名称：浅沟槽隔离结构的制造方法
专利号：201510750360.8
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-11-06
专利名称：半导体装置的制造方法和系统
专利号：201610073030.4
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-02-02
专利名称：Method and System for Uniform Deposition of Methal
专利号：17152662.7
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2017-01-25
专利名称：METHOD AND SYSTEM FOR UNIFORM DEPOSITION OF METAL
专利号：15/348,729
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-11-10
专利名称：互连结构的形成方法
专利号：201510817979.6
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-11-23
