专利
专利名称：PMOS晶体管及其形成方法
专利号：201510654252.0
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-10-10
专利名称：金属栅晶体管源漏区接触塞的制作方法
专利号：201511001045.1
专利权人：SMIC(BJ)-SMIC(SH)
时间：2015-12-28
专利名称：Metal Gate Transistor and Fabrication Method Thereof
专利号：16205794.7
专利权人：SMIC(BJ)-SMIC(SH)
时间：2016-12-21
专利名称：METAL GATE TRANSISTOR AND FABRICATION METHOD THEREOF
专利号：15/392,215
专利权人：SMIC(BJ)-SMIC(SH)
时间：2016-12-28
专利名称：半导体结构及其制造方法
专利号：201511017177.3
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-12-29
专利名称：一种半导体器件及其制造方法和电子装置
专利号：201510666466.X
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-10-15
专利名称：改善半导体结构漏电流的方法
专利号：201510740744.1
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-11-04
专利名称：一种介电层及互连结构的制作方法、半导体器件
专利号：201510976482.9
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-12-23
专利名称：半导体结构及其形成方法
专利号：201610080765.X
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-02-04
专利名称：一种半导体器件及其制造方法
专利号：201510976481.4
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-12-23
专利名称：接触孔的形成方法
专利号：201510741788.6
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-11-04
专利名称：半导体器件及其形成方法
专利号：201510883147.4
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-12-03
专利名称：半导体制造设备以及制造方法
专利号：201610070694.5
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-02-01
专利名称：Apparatus and Method for Forming Metal by Hot-Wire Assisted Cleaning and Atomic Layer Deposition
专利号：17152906.8
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2017-01-24
专利名称：APPARATURS AND METHOD FOR FORMING METAL BY HOT-WIRE ASSISTED CLEANING AND ATOMIC LAYER DEPOSITION
专利号：15/402,110
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2017-01-09
