专利
专利名称：Method and Device to Improve Shallow Trench Isolation
专利号：16204236.0
专利权人：SMIC(BJ)-SMIC(SH)
时间：2016-12-15
专利名称：METHOD AND DEVICE TO IMPROVE SHALLOW TRENCH ISOLATION
专利号：15/376,408
专利权人：SMIC(BJ)-SMIC(SH)
时间：2016-12-12
专利名称：鳍部掺杂方法及鳍式场效应晶体管的制作方法
专利号：201511003228.7
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-12-28
专利名称：半导体器件及其形成方法
专利号：201510615851.1
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-09-24
专利名称：鳍式场效应晶体管及其形成方法
专利号：201510995347.9
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-12-25
专利名称：鳍式场效应晶体管及其形成方法
专利号：201510540809.8
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-08-28
专利名称：一种FinFET器件自发热测量结构及测量方法、电子装置
专利号：201510974176.1
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-12-22
专利名称：一种半导体器件及其制备方法、电子装置
专利号：201510981254.0
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-12-23
专利名称：一种密封环结构及电子装置
专利号：201510665797.1
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-10-15
专利名称：用于自对准双重构图的方法及半导体器件的制造方法
专利号：201510661320.6
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-10-14
专利名称：半导体器件及其制造方法
专利号：201510920864.X
专利权人：SMIC(BJ)-SMIC(SH)
时间：2015-12-11
专利名称：SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF
专利号：15/286,176
专利权人：SMIC(BJ)-SMIC(SH)
时间：2016-10-05
专利名称：金属栅晶体管源漏区接触塞的制作方法
专利号：201511003230.4
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-12-28
专利名称：一种半导体器件及其制备方法、电子装置
专利号：201510674345.X
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-10-16
专利名称：一种半导体器件及其制造方法和电子装置
专利号：201510953403.2
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-12-17
