专利
专利名称：半导体器件的形成方法
专利号：201510691122.4
专利权人：SMIC(BJ)-SMIC(SH)
时间：2015-10-22
专利名称：Semiconductor Device and Fabrication Method Thereof
专利号：16193028.4
专利权人：SMIC(BJ)-SMIC(SH)
时间：2016-10-10
专利名称：SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF
专利号：15/284,671
专利权人：SMIC(BJ)-SMIC(SH)
时间：2016-10-04
专利名称：半导体器件的形成方法
专利号：201510631673.1
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-09-29
专利名称：鳍式场效应晶体管及其形成方法
专利号：201510465603.3
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-07-31
专利名称：半导体器件制作方法、半导体器件及电子装置
专利号：201510437188.0
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-07-23
专利名称：一种半导体器件及其制备方法、电子装置
专利号：201510661899.6
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-10-14
专利名称：半导体装置及其制造方法
专利号：201610017070.7
专利权人：SMIC(BJ)-SMIC(SH)
时间：2016-01-12
专利名称：Semiconductor Device and Related Manufacturing Method
专利号：17150134.9
专利权人：SMIC(BJ)-SMIC(SH)
时间：2017-01-03
专利名称：SEMICONDUCTOR DEVICE AND RELATED MANUFACTURING METHOD
专利号：15/405,150
专利权人：SMIC(BJ)-SMIC(SH)
时间：2017-01-12
专利名称：半导体结构的制作方法
专利号：201510916709.0
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-12-10
专利名称：鳍式场效应晶体管及其形成方法
专利号：201610003549.5
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-01-04
专利名称：一种半导体器件及其制造方法
专利号：201510437702.0
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-07-23
专利名称：鳍式场效应晶体管及其形成方法
专利号：201510631734.4
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-09-29
专利名称：具有浅沟槽隔离结构的器件及其制造方法
专利号：201510969869.1
专利权人：SMIC(BJ)-SMIC(SH)
时间：2015-12-22
