专利

专利名称：PMOS晶体管及其形成方法
专利号：201510292726.1
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-06-01
专利名称：PMOS TRANSISTOR AND FABRICATION METHOD THEREOF
专利号：15/170,700
专利权人：SMIC(SH)
时间：2016-06-01
专利名称：半导体结构及其制造方法
专利号：201610297864.3
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-05-06
专利名称：一种半导体器件及其制作方法、电子装置
专利号：201510443534.6
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-07-24
专利名称：光学邻近修正方法
专利号：201510418859.9
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-07-16
专利名称：半导体结构的形成方法
专利号：201510446426.4
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-07-27
专利名称：半导体结构及其形成方法
专利号：201510654255.4
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-10-10
专利名称：环栅场效应管的形成方法
专利号：201510532178.5
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-08-26
专利名称：半导体器件的形成方法
专利号：201510465605.2
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-07-31
专利名称：一种ESD布局结构、电子装置
专利号：201510621797.1
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-09-25
专利名称：半导体结构的形成方法
专利号：201510465545.4
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-07-31
专利名称：半导体器件的形成方法
专利号：201510531698.4
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-08-26
专利名称：半导体结构的形成方法
专利号：201510423235.6
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-07-17
专利名称：鳍式场效应晶体管及其形成方法
专利号：201511030362.6
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-12-31
专利名称：鳍式场效应晶体管的形成方法
专利号：201510456542.4
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-07-29
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