专利

专利名称：半导体结构的形成方法
专利号：201410528397.1
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-10-09
专利名称：半导体结构的形成方法
专利号：201410820269.4
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-12-19
专利名称：SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND FABRICATION METHOD THEREOF
专利号：14/941,732
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-11-16
专利名称：鳍式场效应晶体管及其制造方法
专利号：201410658857.2
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-11-18
专利名称：鳍式场效应管的形成方法
专利号：201510324674.1
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-06-12
专利名称：半导体结构的形成方法
专利号：201410756740.8
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-12-10
专利名称：SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF
专利号：14/992,390
专利权人：SMIC(SH)
时间：2016-01-11
专利名称：一种半导体器件及其制造方法、电子装置
专利号：201510019287.7
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-01-14
专利名称：CMOS晶体管的形成方法
专利号：201510005139.X
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-01-06
专利名称：套刻精度补偿方法
专利号：201510547980.1
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-08-31
专利名称：一种半导体器件及其制造方法、电子装置
专利号：201510009274.1
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-01-08
专利名称：半导体器件的形成方法
专利号：201410736211.1
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-12-04
专利名称：一种半导体器件及其制造方法、电子装置
专利号：201510053593.2
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-02-02
专利名称：一种半导体器件及其制造方法、电子装置
专利号：201510008991.2
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-01-08
专利名称：MOS晶体管的形成方法
专利号：201510192218.6
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-04-20
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