专利

专利名称：晶体管的形成方法
专利号：201410707559.8
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-11-27
专利名称：半导体结构和测试结构的形成方法、测试方法
专利号：201410494750.9
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-09-24
专利名称：鳍式场效应管及其形成方法
专利号：201410598161.5
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-10-30
专利名称：鳍式场效应管的形成方法
专利号：201410445807.6
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-09-03
专利名称：鳍式场效应管的形成方法
专利号：201410504671.1
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-09-26
专利名称：晶体管的形成方法
专利号：201410534688.1
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-10-11
专利名称：金属的化学机械研磨方法
专利号：201410617671.2
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-11-05
专利名称：鳍式场效应管的形成方法
专利号：201410437370.1
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-08-29
专利名称：鳍式场效应晶体管及其形成方法
专利号：201510012084.5
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-01-09
专利名称：应力层的形成方法和晶体管的形成方法
专利号：201410546258.1
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-10-15
专利名称：鳍式场效应管的形成方法
专利号：201410734651.3
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-12-04
专利名称：FINFET SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION METHOD
专利号：14/959,008
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-12-04
专利名称：鳍式场效应晶体管及其形成方法
专利号：201510005158.2
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-01-06
专利名称：半导体结构及其形成方法
专利号：201410513673.7
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-09-29
专利名称：晶体管的形成方法
专利号：201510131246.7
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-03-24
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