专利
专利名称：互连结构的形成方法
专利号：201410363420.6
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-07-28
专利名称：一种FinFET器件及其制作方法和电子装置
专利号：201410475129.8
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-09-17
专利名称：互连结构及其形成方法
专利号：201410353723.X
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-07-23
专利名称：半导体结构的形成方法、晶体管及其形成方法
专利号：201410323378.5
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-07-08
专利名称：半导体结构的形成方法
专利号：201410376692.X
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-08-01
专利名称：一种半导体器件及其制备方法、电子装置
专利号：201410538014.9
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-10-13
专利名称：一种半导体器件及其制作方法和电子装置
专利号：201410398110.8
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-08-13
专利名称：鳍式场效应晶体管的形成方法
专利号：201410322716.3
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-07-08
专利名称：一种基于双图案的半导体器件及其制造方法、电子装置
专利号：201410401106.2
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-08-14
专利名称：半导体结构及其形成方法
专利号：201410736249.9
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-12-04
专利名称：钨电极的形成方法
专利号：201410521989.0
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-09-30
专利名称：半导体结构及其形成方法
专利号：201410546261.3
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-10-15
专利名称：鳍式场效应晶体管及其形成方法
专利号：201410439757.0
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-08-30
专利名称：晶体管及其形成方法
专利号：201410440271.9
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-09-01
专利名称：鳍式场效应晶体管及其形成方法
专利号：201410554566.9
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-10-17