专利

专利名称：一种半导体器件及其制备方法、电子装置
专利号：201410538013.4
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-10-13
专利名称：接触插塞、MOS、鳍式场效应晶体管，及其形成方法
专利号：201410264579.2
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-06-13
专利名称：SEMICONDUCTOR DEVICES AND FABRICATION METHOD THEREOF
专利号：14/716,886
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-05-20
专利名称：鳍式场效应晶体管的形成方法
专利号：201410432180.0
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-08-28
专利名称：栅极氧化层的制作方法及半导体器件的制作方法
专利号：201410283556.6
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-06-23
专利名称：金属互连结构的形成方法
专利号：201410239105.2
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-05-30
专利名称：半导体结构的形成方法
专利号：201410334107.X
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-07-14
专利名称：一种半导体器件的制作方法
专利号：201410537891.4
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-10-13
专利名称：半导体结构的形成方法
专利号：201410549362.6
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-10-16
专利名称：SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND FABRICATION METHOD
专利号：14/848,908
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-09-09
专利名称：半导体结构及返工方法
专利号：201410438895.7
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-08-30
专利名称：互连结构及其形成方法
专利号：201410363410.2
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-07-28
专利名称：半导体结构的形成方法
专利号：201410325768.6
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-07-09
专利名称：半导体结构的形成方法
专利号：201410363912.5
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-07-28
专利名称：一种半导体器件及其制造方法、电子装置
专利号：201410537884.4
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-10-13
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