专利

专利名称：半导体器件及其形成方法
专利号：201410231338.8
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-05-28
专利名称：一种半导体器件及其制造方法，电子装置
专利号：201410222435.0
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-05-23
专利名称：一种半导体器件和电子装置
专利号：201410326153.5
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-07-09
专利名称：鳍式场效应晶体管的形成方法
专利号：201410443001.3
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-09-02
专利名称：一种半导体器件及其制作方法和电子装置
专利号：201410260442.X
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-06-12
专利名称：制备Fin FET器件的方法
专利号：201510174056.3
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-04-13
专利名称：半导体器件的形成方法
专利号：201410184425.2
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-05-04
专利名称：SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION METHOD
专利号：14/671,460
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-03-27
专利名称：制备FinFET器件的方法
专利号：201410747457.9
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2014-12-08
专利名称：鳍式场效应管及其形成方法
专利号：201410604150.3
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-10-30
专利名称：鳍式场效应晶体管的形成方法
专利号：201410233841.7
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-05-29
专利名称：半导体器件的形成方法
专利号：201410310748.1
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-07-01
专利名称：鳍式场效应晶体管的形成方法
专利号：201410598408.3
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-10-30
专利名称：半导体结构的形成方法
专利号：201410307265.6
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-06-30
专利名称：鳍式场效应管的形成方法
专利号：201410369904.1
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-07-30
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