专利

专利名称：INTERCONNECTION STRUCTURE
专利号：15/294,358
专利权人：SMIC(SH)
时间：2016-10-14
专利名称：接触插塞的形成方法
专利号：201410136570.3
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-04-04
专利名称：鳍式场效应晶体管及其形成方法
专利号：201410260925.X
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-06-12
专利名称：光刻胶图形的灰化方法
专利号：201410310233.1
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-07-01
专利名称：一种FinFET器件的制作方法
专利号：201410272670.9
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-06-18
专利名称：半导体器件、制备半导体器件的方法
专利号：201510007371.7
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-01-07
专利名称：鳍式场效应晶体管及其形成方法
专利号：201410261126.4
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-06-12
专利名称：晶体管的形成方法
专利号：201410228507.2
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-05-27
专利名称：鳍式场效应晶体管的形成方法
专利号：201410239067.0
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-05-30
专利名称：形成应力结构的方法
专利号：201410747759.6
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2014-12-08
专利名称：刻蚀方法
专利号：201410301926.4
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-06-27
专利名称：晶体管及其形成方法
专利号：201410260890.X
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-06-12
专利名称：鳍式场效应管的形成方法
专利号：201410199457.X
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-05-12
专利名称：半导体器件及其制造方法
专利号：201410268654.2
专利权人：SMIC(BJ)-SMIC(SH)
时间：2014-06-17
专利名称：SEGREGATED FINFET STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD
专利号：14/502,912
专利权人：SMIC(BJ)-SMIC(SH)
时间：2014-09-30
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