专利

专利名称：半导体器件的形成方法
专利号：201410077118.4
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-03-04
专利名称：抑制瞬态增强扩散以提高集成电路器件性能的方法
专利号：201410106486.7
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-03-20
专利名称：刻蚀方法
专利号：201410265002.3
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-06-13
专利名称：晶体管的形成方法
专利号：201410155750.6
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-04-17
专利名称：MOS晶体管的形成方法和CMOS晶体管的形成方法
专利号：201410184850.1
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-05-04
专利名称：去除伪栅的方法
专利号：201410239069.X
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-05-30
专利名称：接触插塞的形成方法
专利号：201410184887.4
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-05-04
专利名称：半导体器件的制备工艺
专利号：201510174038.5
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-04-13
专利名称：半导体器件的形成方法
专利号：201410298284.7
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-06-26
专利名称：半导体结构的形成方法
专利号：201410113838.1
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-03-25
专利名称：鳍式场效应晶体管的形成方法
专利号：201410135924.2
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-04-04
专利名称：半导体器件及其形成方法
专利号：201410184447.9
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-05-04
专利名称：鳍式场效应晶体管的形成方法
专利号：201410184634.7
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-05-04
专利名称：电互连结构及其形成方法
专利号：201410113767.5
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-03-25
专利名称：ELECTRICAL INTERCONNECTION STRUCTURE AND FABRICATION METHOD THEREOF
专利号：14/657,465
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-03-13
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