专利

专利名称：用于光学邻近修正的方法
专利号：201510058385.1
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-02-04
专利名称：一种半导体器件及其制作方法
专利号：201510101515.5
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-03-09
专利名称：半导体器件的制作方法、半导体器件及电子装置
专利号：201510086502.5
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-02-16
专利名称：半导体结构的形成方法
专利号：201510131248.6
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-03-24
专利名称：半导体结构的形成方法
专利号：201510224852.3
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-05-05
专利名称：半导体结构的形成方法
专利号：201510225526.4
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-05-05
专利名称：一种SRAM及其制造方法、电子装置
专利号：201510086556.1
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-02-17
专利名称：半导体结构的形成方法
专利号：201510125951.6
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-03-20
专利名称：鳍式场效应晶体管及其形成方法
专利号：201510152381.X
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-04-01
专利名称：鳍式场效应晶体管及其形成方法
专利号：201510149625.9
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-03-31
专利名称：FIN FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND FABRICATION METHOD THEREOF
专利号：15/059,434
专利权人：SMIC(SH)
时间：2016-03-03
专利名称：晶体管的形成方法
专利号：201510225528.3
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-05-05
专利名称：半导体结构及其形成方法
专利号：201510136674.9
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-03-26
专利名称：鳍式场效应晶体管及其形成方法
专利号：201510225524.5
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-05-05
专利名称：晶体管的形成方法
专利号：201510163918.2
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-04-08
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