专利

专利名称：FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR
专利号：15/147,154
专利权人：SMIC(SH)
时间：2016-05-05
专利名称：鳍部和STI结构的制作方法、半导体器件及其制作方法
专利号：201410280093.8
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-06-20
专利名称：一种制作半导体器件的方法
专利号：201410216718.4
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2014-05-21
专利名称：光学邻近修正方法
专利号：201510005960.1
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-01-06
专利名称：一种制作半导体器件及其制作方法
专利号：201410045903.1
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-02-08
专利名称：一种半导体器件的制作方法
专利号：201410045985.X
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-02-08
专利名称：一种应变沟道晶体管及其制备方法
专利号：201410093072.5
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2014-03-13
专利名称：一种半导体器件的制作方法
专利号：201410133081.2
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-04-03
专利名称：FINFET半导体器件及其制备方法
专利号：201410011019.6
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-01-09
专利名称：增强栅控和电流驱动的FINFET器件及制备方法
专利号：201410010635.X
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-01-09
专利名称：光学量测方法
专利号：201410505496.8
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-09-26
专利名称：栅极及晶体管的形成方法
专利号：201410133562.3
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-04-03
专利名称：一种制作半导体器件的方法
专利号：201410166905.6
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2014-04-24
专利名称：采用双重图形化技术形成栅极的方法
专利号：201410472558.X
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2014-09-16
专利名称：半导体装置及其制造方法
专利号：201410371055.3
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-07-31
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