专利
专利名称：一种硅化镍后形成工艺
专利号：201410325733.2
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-07-09
专利名称：FinFET鳍片的制作方法
专利号：201410542130.8
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-10-14
专利名称：介电薄膜的后处理方法、互连层及半导体器件
专利号：201410127765.1
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-03-31
专利名称：静态存储单元的形成方法
专利号：201410172511.1
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-04-25
专利名称：STATIC MEMORY CELL AND FORMATION METHOD THEREOF
专利号：14/687,030
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-04-15
专利名称：STATIC MEMORY CELL
专利号：15/013,902
专利权人：SMIC(SH)
时间：2016-02-02
专利名称：METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
专利号：14/559,553
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-12-03
专利名称：自对准双重图形化方法及鳍式场效应晶体管的制作方法
专利号：201410076954.0
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-03-04
专利名称：一种FinFET器件及其制造方法
专利号：201410010682.4
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-01-09
专利名称：在半导体器件中形成金属结构的方法及互连层的制作方法
专利号：201410098689.6
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-03-17
专利名称：鳍式场效应晶体管装置及其制造方法
专利号：201410201636.2
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-05-13
专利名称：场效应晶体管及其制造方法
专利号：201410199554.9
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-05-12
专利名称：半导体器件的形成方法
专利号：201410042208.X
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2014-01-28
专利名称：栅介质层的形成方法和MOS晶体管的形成方法
专利号：201410077194.5
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-03-04
专利名称：FIN FIELD DFFECT TRANSISTOR AND METHOD FOR FORMING THE SAME
专利号：14/574,639
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-12-18
