专利
专利名称：SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION METHOD
专利号：14/530,856
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-11-03
专利名称：半导体结构的形成方法
专利号：201410184867.7
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-05-04
专利名称：FINFET DEVICE AND METHOD OF FORMING FIN IN THE SAME
专利号：14/189,448
专利权人：SMIC(BJ)-SMIC(SH)
时间：2014-02-25
专利名称：MOS晶体管及其制作方法
专利号：201510056720.4
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-02-03
专利名称：FIN FIELD ERRECT TRANSISTOR AND METHOD FOR FORMING THE SAME
专利号：14/336,050
专利权人：SMIC(BJ)-SMIC(SH)
时间：2014-07-21
专利名称：TRIPLE PATTERNING METHOD
专利号：14/188,945
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-02-25
专利名称：一种形成FinFET器件的鳍片的制造方法
专利号：201410045930.9
专利权人：SMIC(BJ)-SMIC(SH)
时间：2014-02-08
专利名称：METHOD OF FINFET FORMATION
专利号：14/612,186
专利权人：SMIC(BJ)-SMIC(SH)
时间：2015-02-02
专利名称：一种FinFET半导体器件以及制备方法
专利号：201410217869.1
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-05-21
专利名称：基于嵌入式金属纳米点的晶体管的制造方法及制造的产品
专利号：201410276267.3
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-06-19
专利名称：一种半导体器件的制造方法
专利号：201410160807.1
专利权人：SMIC(BJ)-SMIC(SH)
时间：2014-04-21
专利名称：METHOD OF FORMING TUGSTEM NITRIDE LAYER OF TUNGSTEN GATE
专利号：14/671,987
专利权人：SMIC(BJ)-SMIC(SH)
时间：2015-03-27
专利名称：鳍式场效应晶体管及其形成方法
专利号：201410157805.7
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-04-18
专利名称：在FinFET中形成鳍状物的方法
专利号：201410323256.6
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-07-08
专利名称：一种硅化镍后形成工艺
专利号：201410325210.8
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-07-09
